來源：鳳凰網科技

8月17日消息，據國內媒體報道，近日，全國首台國產商業電子束光刻機在杭州“出爐”，其精度比肩國際主流設備，標誌著量子芯片研發從此有了“中國刻刀”。

在杭州城西科創大走廊的浙江大學成果轉化基地測試現場，一台模樣酷似大型鋼櫃的機器正在做應用測試，電子顯示屏上不斷閃爍著實時參數。

團隊負責人表示，這不是普通的機器，而是一支能在頭髮絲上雕刻出整座城市地圖的“納米神筆”。依托省重點實驗室，這台研究院自主研發的新一代100kV電子束光刻機“羲之”已正式投入市場。

據了解，“羲之”取名自書法家王羲之，只不過它的“毛筆”是電子束，在晶片上刻寫電路。

研發團隊相關負責人介紹，這臺設備專攻量子晶片、新型半導體研發的核心環節，它通過高能電子束在矽基上“手寫”電路，精度達到0.6nm，線寬8nm，可靈活修改設計無須掩膜版，如同用納米級毛筆在晶片上精準作畫，特別適合晶片研發初期的反覆調試。

此前，此類設備受國際出口管制，中國科學技術大學、之江實驗室等國內頂尖科研機構長期無法採購，“羲之”的落地有望打破這一困局。

其定價低於國際均價，目前已與多家企業及科研機構展開接洽。

那電子束光刻機和我們經常聽到的EUV光刻機有何區別呢？

電子束光刻機（Electron Beam Lithography，EBL）是半導體製造中一種關鍵的圖形化技術。電子束光刻採用電子源，利用電子束轟擊電子抗蝕劑，被電子輻照過的抗蝕劑發生分子鏈重組，從而留下相應痕跡。通過電磁場控制電子束的運動方向，改變電子束在抗蝕劑上寫入的軌跡，進而在基底上得到需要的圖案資訊。

不過，電子束光刻機採用逐點掃描的方式，掃描速度慢，每幾個小時才能“雕刻”1片晶圓，效率遠低於EUV光刻機。但精度更高，如“羲之”電子束光刻機精度達0.6nm。

相比之下，EUV光刻機利用極紫外光（13.5nm）作為能量源，通過掩模版投影的方式，全片一次性曝光來實現圖案轉移，效率更高。精度相對較低，ASML生產的High NA EUV光刻機精度可達2nm水平。

所以，電子束光刻機適合小批量高精度需求，如高端芯片的小批量生產、改進迭代，以及掩模版製作等。

而EUV光刻機主要用於大規模積體電路製造，如CPU、DRAM等商業化半導體生產。